三星、SK海力士、美光遭集体诉讼：被控合谋减产DRAM推高价格
三星、SK海力士和美光在美国面临联邦集体诉讼，被指控合谋削减传统DRAM产能、转产HBM，导致DDR3和DDR4内存供应锐减、价格飙升。诉讼引用2005年三家厂商的DRAM价格操纵认罪先例。内存成本上涨已波及整机市场，微软Xbox和Valve Steam Machine均因此上调售价。
作者：核流 Admin · 栏目：硬件
三星、SK海力士和美光三大DRAM制造商在美国面临一项联邦集体诉讼，原告指控这三家企业合谋削减传统DRAM产能、将生产重心转向高带宽内存（HBM），导致DDR3和DDR4内存供应骤减、价格飞涨，对消费者造成了严重损害。 集体诉讼指控：合谋减产、转产HBM 据Law360报道，该集体诉讼由个人消费者和企业消费者组成的拟议集体提起。诉状称，这三家控制全球绝大多数DRAM市场的企业同时削减产量、协调转向HBM并退出DDR3和DDR4市场，减少了传统DRAM的供应量。诉状中写道："DRAM寡头同时减产，协调转向HBM并从DDR3和DDR4退出，以令人震惊的规模和速度减少和锁定传统DRAM供应，同时抬高价格"。 诉讼指出，新竞争者难以迅速扩大产能来填补市场空缺，因为一座DRAM晶圆厂造价可达数百亿美元且建设周期长达数年。这让买家在主要供应商集体减产时完全暴露于价格风险之下。诉状进一步指出，在竞争性市场中，当价格上涨时至少应有一家供应商会扩大产量，但这一情况并未发生。 这不是三家厂商首次因DRAM价格操纵被诉。早在2005年，三星和SK海力士就曾在美国司法部的调查中认罪，美光因配合调查而免于罚款。原告认为当前情况是同一市场问题的再度重演。 内存涨价冲击整机市场 此次诉讼提起之际，内存和存储成本的上涨已经开始影响消费类硬件定价。微软近期再次上调Xbox游戏机售价，并表示内存和存储成本上涨超过2.5倍。Valve也确认其Steam Machine的定价目标已不再可行，整机起售价已突破1000美元。 对于PC用户而言，这一案件意味着内存短缺的影响已不再局限于组件层面——DRAM和NAND成本正在渗透至整机、游戏主机和其他设备。该诉讼尚待法庭审理，针对三星、SK海力士和美光的指控仍为法律主张。如果原告胜诉，可能对整个内存行业的价格行为产生深远影响，并为全球消费者带来更为透明的内存定价机制。 参考资料 VideoCardz：Samsung, SK hynix and Micron sued over alleged DRAM price fixing